低耐压MOSFET

▼LG(TOLL)封装
采用小型扁平封装
新推出中耐压100V～200V产品！

▼Dual MOSFET
在单个封装上搭载两个低损耗功率MOSFET
有助于电路小型化与轻量化

▼EETMOS5 系列
此系列沟槽栅结构进行了大幅改善，
实现了低Qg和低噪声

▼EETMOS3/4 系列
采用Cu排夹结构，实现低Ron・大电流化

▼EETMOS3 系列
沟槽栅结构、
并优化了沟槽布局 Ron・A 减少约 23%

减少贴装面积25%，有助于机器的小型化
与之前的相比(D2PAK（TO-263）)，尺寸减少约10％的贴装面积。有助于产品小型化。
使贴装后的自动外观检测成为可能
采用Wettable Flank结构，使贴装后的自动外观检测成为可能
产品规格
产品名称 VDS min. [V] ID max. [A] VTH typ. [A] Ron [mΩ]※１ Ciss(typ.)※2[pF] Coss(typ.)※2[pF] Crss(typ.)※2[pF] Status
typ. max.
P280LG4GNK 40 280 3.0 0.44 0.55 23500 4800 750 Planning
P280LG6GNK​ 60 280 3.0 0.61 0.77 14630 6074 277 Planning
P232LG10GNK​ 100 232 3.0 1.29 1.62 9325 4170 128 RS
P166LG15GNK 150 166 3.0 3.56 4.45 TBD TBD TBD Planning
P120LG20GNK 200 120 3.0 7.8 9.8 5822 447 27 RS
※1 VGS=10V
※2 VDS=25V

有助于电路小型化与轻量化
与使用单体器件×2个相比，可减少贴装面积和器件数量。 有助于电路小型化与轻量化。
有助于降低开关损耗
与本公司第4代产品相比，通过进一步减小容量， FOM（Ron×Ciss）降低25%。
实现了小型化和导通阻抗的降低
通过大幅降低阻抗和提高散热性，实现了小型化和导通阻抗的降低。
高信頼性実装を実現
通过可缓解基板应力以及可润湿侧翼结构来提高焊锡润湿的可视性，实现了高可靠性贴装。
产品规格
产品名称 VDS min. [V] ID max. [A] VTH typ. [A] Ron [mΩ]※１ Series
typ. max.
P20LF4QTKD 40 20 2.0 12.3 15.3 EETMOS 4
P41LF4QTKD 40 41 2.0 5.3 6.7 EETMOS 4
P50LF4QTKD 40 50 2.0 4.4 5.5 EETMOS 4
P15LF6QTKD 60 15 2.0 24.0 30.0 EETMOS 4
P33LF6QTKD 60 33 2.0 10.0 12.5 EETMOS 4
P33LF6QLKD 60 33 2.0 10.5 13.1 EETMOS 4
P39LF6QTKD 60 39 2.0 8.3 10.4 EETMOS 4
P12LF10SLKD 100 12 2.0 34.0 42.0 EETMOS 3
P17LF10SLKD 100 17 2.0 29.0 36.0 EETMOS 3
※１：VGS=10V

实现了低Qg和低噪声
此系列对之前的EETMOS4系列的沟槽栅结构进行了大幅改善，实现了低Qg和低噪声。 以电源同步整流波形进行对比。
实现了于低功耗化
以电源同步整流波形进行对比。在VDS＝40V条件下降低37％，在VDS＝200V条件下 降低46％。
实现了于低功耗化
凭借低Ron、低Qg效果，实现了低功耗・高效率。 (以之前的EETMOS4相同芯片条件进行对比)
产品规格
LF package (5×6mm)
产品名称 VDS min. [V] ID max. [A] VTH typ. [A] Ron [mΩ]※１ Series
typ. max.
P180LF4GNK 40 180 3.0 1.01 1.23 Planning
P120LF6GNK 60 120 3.0 1.60 2.00 RS
P74LF10GNK 100 74 3.0 4.90 6.20 Planning
P36LF20GNK 200 36 3.0 20.70 25.90 Planning
FZ-7p package (TO-263SC)
Part Name VDS min. [V] ID max. [A] VTH typ. [A] Ron [mΩ]※１ Series
typ. max.
P240FZ4GNKA 40 240 3.0 0.85 1.07 Planning
P240FZ6GNKA 60 240 3.0 0.91 1.20 Planning
P130FZ10GNKA 100 130 3.0 3.70 4.60 Planning
P58FZ20GNKA 200 58 3.0 14.30 17.90 Planning
LG package (TOLL)
Part Name VDS min. [V] ID max. [A] VTH typ. [A] Ron [mΩ]※１ Series
typ. max.
P280LG4GNK 40 280 3.0 0.50 0.63 Planning
P280LG6GNK 60 280 3.0 0.77 0.96 Planning
P232LG10GNK 100 232 3.0 1.83 2.20 RS
P85LG20GNK 200 85 3.0 8.70 10.90 RS
※１：VGS=10V

实现了小型化和导通阻抗的降低
通过采用Cu排夹结构，大幅降低电阻和提高散热性，与我公司之前的产品相比，实现Ron降低40％、贴装面积降低52％。
实现了高可靠性贴装
鸥翼形状的引线实现牢固的基板贴装。
产品规格
LF package(5×6mm)
产品名称 VDS min. [V] ID max. [A] VTH typ. [A] Ron [mΩ]※１ Series
typ. max.
P24LF4QLK 40 24 2.0 9.60 12.0 MP
P70LF4QLK 40 70 2.0 3.60 4.50 MP
P105LF4QLK 40 105 2.0 2.10 2.70 MP
P140LF4QLK 40 140 2.0 1.17 1.42 MP
P18LF6QLK 60 18 2.0 21.0 26.0 MP
P38LF6QLK 60 38 2.0 7.90 9.90 MP
P64LF6QLK 60 64 2.0 4.50 5.70 MP
P98LF6QLK 60 98 2.0 2.50 3.20 MP
P46LF7R5SLK 75 46 2.0 8.20 10.30 MP
P72LF7R5SLK 75 72 2.0 4.60 5.80 MP
P32LF10SLK 100 32 2.0 15.70 19.70 MP
P50LF10SLK 100 50 2.0 9.00 11.30 MP
P25LF12SLK 120 25 2.0 23.00 29.00 MP
P40LF12SLK 120 40 2.0 13.00 16.30 MP
FZ-7p package (TO-263SC)
产品名称 VDS min. [V] ID max. [A] VTH typ. [A] Ron [mΩ]※１ Series
typ. max.
P240FZ4QNKA 40 240 3.0 1.01 1.27 MP
P170FZ6QNKA 60 170 3.0 1.94 2.50 MP
※１：VGS=10V

实现约23% 的 Ron・A 降低
与传统产品相比，100V 产品可实现约 23% 的 Ron・A 降低。
产品规格
产品名称 VDS min. [V] ID max. [A] Ron [mΩ]※１ Series
typ. max.
P24B4SB

 40 24 14.8 18.5 FB
P60B4SN

 40 60 3.2 4.0 FB
P16B6SB

 60 16 29.0 37.0 FB
P60B6SN

 60 60 5.3 6.7 FB
P8B10SB

 100 8 75.0 94.0 FB
P40B10SN

 100 40 13.4 16.8 FB
P32B12SN

 120 32 20.0 25.0 FB
P24B15SL

 150 24 33.0 42.0 FB
P86F6SN 60 86 2.4 3.0 FTO-220AG
P66F7R5SN 75 66 4.0 5.0 FTO-220AG
P82F7R5SN 75 82 3.0 3.8 FTO-220AG
P22F10SN 100 22 22.0 28.0 FTO-220AG
P40F10SN 100 40 8.5 10.7 FTO-220AG
P50F10SN 100 50 6.9 8.7 FTO-220AG
P32F12SN 120 32 12.4 15.5 FTO-220AG
P40F12SN 120 40 9.5 11.9 FTO-220AG
※１：VGS=10V

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