■SiC肖特基二极管
■相比传统FRD改善 20%的VF
■相比传统FRD改善77%的恢复特性
■相比传统FRD改善 20%的VF
■相比传统FRD改善77%的恢复特性
SiC二极管
▼S20SC65WV
有利于低功耗化和低噪声、SiC肖特基二极管
有利于低功耗化和低噪声
SiC肖特基二极管
S20SC65WV
有利于低功耗化
相比传统FRD改善 20%的VF
实现了低噪声
相比传统FRD改善77%的恢复特性
等效电路图
产品规格
| Part Name | Tstg [°C] | Tj [°C] | VRRM [V] | IF typ. [A] | VF typ. [V] | IR max. [uA] | Package (JEDEC CODE) |
Package (HOUSE NAME) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S20SC65WV | -55~175 | 175 | 650 | 20 | 1.60 (Per leg) |
100 (Per leg) |
TO-247AD | MTO-3PV |
| 1.2kV SiC-SBD Under planning |
-55~175 | 175 | 1,200 | 20 | 1.50 (Per leg) |
200 (Per leg) |
TO-247AD | MTO-3PV |
