关于向株式会社Novel Crystal Technology出资的通告

Jun. 30, 2020

我公司通过部分接受第三方配股增资的方式，对从事β型氧化镓（β-Ga2O3）开发的株式会社Novel Crystal Technology（总部：埼玉县狭山市，代表取缔役社长：仓又朗人）进行了出资，特此通告如下。

出资目的

我公司自1957年开发硅二极管以来，一直在扩大半导体的产品阵容，目前从事大电流、高耐压功率半导体等产品的制造和销售。
我公司拥有多年积累的功率半导体设计、评估技术和模块贴装技术，希望通过融合在Novel Crystal Technology公司的β-Ga2O3功率器件中，开展推出用于需要较大功率的工业设备用变频器和电动汽车驱动电机用变频器的半导体产品。另外，我公司正在应用电源电路技术，推进最有效利用β-Ga2O3功率器件的应用开发。
β-Ga2O3具有比SiC、GaN更大的带隙，用作器件时容易实现高耐压化和大电流化，材料特性具有优异的耐环境性能。另外，它采用半导体制造工艺中常用的液相晶体生长和气相外延层生长技术，因此在制造成本方面与SiC等相比有望占据优势。
我公司今后将继续融合功率半导体技术、电源电路技术和贴装技术作为核心技术，并进行发展和应用。推进开发高效率产品，为实现低碳社会作贡献。

【参考】
关于株式会社Novel Crystal Technology
自2015年6月成立以来，一直从事β-Ga2O3单晶基板、外延晶片的开发、制造、销售及使用这些产品的功率器件的开发。

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