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开发导通损耗降低55%、用于防止反接、反向电流的理想二极管IC 内置控制电路，无需外接电路

Aug. 26, 2020

新电元工业株式会社开发理想二极管IC V-Diode^TM“MF2003SV”并已开始出样。本产品集Pch MOSFET与反接保护、防止反向电流功能于一身，除了将大幅减少功率损耗之外，而且无需外接器件，将实现设计简洁化和电路小型化。
在使用电池和DC/DC转换器作为输入源的车载用电子设备的反接保护和防止反向电流用途上，可以通过降低功耗来简化散热措施，有助于设备小型化。
目前“MF2003SV”正在出样，预定发售时间为2021年8月。

※ V-Diode^TM 是Virtual Diode的简称

■概要

近年来，随着车载设备的电子控制技术的发展，控制电子设备的ECU（Electronic Control Unit）在车辆上的搭载数量也随之增加，其用途涉及仪表、抬头显示器、变速箱、车道保持辅助系统自适应巡航控制等方方面面。
这些ECU使用锂离子、铅等电池或DC/DC转换器输出作为输入源，过去一直使用二极管作为输入部分来反接保护和防止反向电流元件。但是随着电子设备的功能整合与多功能化带来的大电流化，导致二极管的损耗与发热增加，因此散热措施成为设备小型化的障碍，能减少损耗与发热的反接保护和用于防止反向电流元件成为市场需求。
为了满足这些市场需求，我们开发了集Pch MOSFET与反接保护、防止反向电流功能于一身的理想二极管IC V-Diode^TM“MF2003SV”。
本产品使用Pch MOSFET以替代过去的二极管，大幅降低导通损耗55%^＊１和温升37%^＊１，由此可简化散热措施，且贴装面积减少75%^＊１，有助于设备小型化。
此外，它集Pch MOSFET驱动电路于一身，无需外接器件，因此还有助于简化电路设计。

※1：与本公司过去产品相比

■特点

1：大幅降低损耗和温升　【图1】
　　使用Pch MOSFET，与过去的二极管相比降低了导通损耗55%、温升37%。
2：有助于设备的小型化的小型封装　【图2】
　　采用支持侧面上锡的无铅封装和WSON8（4×4mm）。
　　通过降低损耗来简化散热措施，且贴装面积减少了75%。
3：内置防止反向电流功能和反接保护功能　【图3】
　　集Pch MOSFET与防止反向电流功能、反接保护功能于一身。无需外接器件。
4：内置Pch MOSFET保护用有源钳位功能
　　搭载ΔVDS≈40V钳位功能，防止内置Pch MOSFET击穿。

■用途示例

·各种车载ECU
　仪表、抬头显示器、导航系统、音响、USB模块等
·需要O Ring的设备输入与输出部分

■电路示例

■V-DiodeTM MF2003SV 产品规格

	Temporary SPEC
耐压	42V
工作电压	2.5～40V
平均电流（大致）	4A
暗电流	≦3μA
内置 Pch MOSFET Ron	57mΩ（typ.）
反接保护	内置
防止反向电流	内置 (25mV 偏移比较器)
IFSM	70A
Toff	500ns(typ.)
Tj	150℃(max.)

*MF2003SV规格为开发品，可能在不提前告知的情况下有所变更。

■外形尺寸图及等效电路图（Unit：mm）

■生产工厂

株式会社東根新電元以及其他

■问讯窗口