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发售四款性能指数削减24%的第四代功率MOSFET的新型号有助于各种移动设备的小型化和低功耗化

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发售四款性能指数削减24%的第四代功率MOSFET的新型号有助于各种移动设备的小型化和低功耗化

Aug. 18, 2020

新电元工业株式会社的功率MOSFET“EETMOS4系列”四款新型号已开始量产。该系列通过采用新结构芯片和Cu-Clip，以5×6mm尺寸的小型封装实现了低损耗和大电流化，在电池驱动设备的各种电机驱动电路、各种电源电路、继电器等用途中有助于各种家电的小型化和低功耗化，从而实现长时间驱动。此外，通过采用鸥翼形状的封装引线，实现了高可靠性贴装。

■概要

近年来，杆式吸尘器、电动工具、电动自行车等搭载电池的产品剧增，诸如无人机之类的新市场也在不断扩大。这些电池驱动设备要求通过设备的小型化和低功耗化来实现长时间驱动，而功率半导体产品属于关键器件，对小型化和高效率化的要求更高。
为了满足这些市场需求，在产品阵容中新增了40V～120V 耐压小型低导通电阻的功率MOSFET。
本产品在新结构的第四代功率MOSFET(EETMOS4)的基础上，搭载电阻小、散热效果好的Cu-Clip型封装，将性能指数（FOM：Figure Of Merit）即导通电阻与总栅极电荷之积削减了24%^＊１，在提高电源电路转换效率的同时，还将贴装面积削减了 54%^＊１，有助于设备的小型化和高效率化。
此外，对于采用电池作为电源的移动设备，出于耐冲击性的原因而要求具有牢固的焊锡性，而本系列的封装引线通过前端部的电镀处理来实现优异的可焊性，且采用鸥翼形状的引线，可便于形成角焊缝，从而提升贴装性和实现高可靠性。

※1：与本公司以往产品相比

■特点

1：新结构 第四代功率MOSFET【图1】
　　将新结构第四代芯片搭载在采用低电阻连接器的封装中，将性能指数^※2削减了24%。
2：采用Cu-Clip结构【图1、2】
　　采用低电阻高散热Cu-Clip连接的小型封装（5×6mm），将贴装面积削减了54%。
3：鸥翼形引线【图3】
　　通过缓解基板应力及引线前端部电镀处理，实现了高可靠性贴装。
4：可与现有封装进行置换
　　外形与SOP8及HSON系封装类似，便于置换。
5：保证Tj=175℃