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导通功耗降低55%、用于防止极性反接和反向电流的理想二极管IC发售
～借助低功耗器件的优势，为设备小型化做贡献～

May. 30, 2023

新电元工业株式会社推出了理想二极管IC V-DiodeTM“MF2003SV”。
本产品通过将Pch MOSFET与极性反接保护、反向电流防止电路的一体化，为降低电子设备的功耗做贡献。
另外与传统的二极管相比，可减少贴装面积和元器件数量，有助于产品小型化。

■ 概要
以近年来的汽车为例，随着电子设备的功能强化、功能集成和多功能化，功耗也不断增加。以往ECU输入部分的极性反接保护和反向电流防止用元件使用二极管，但电流增加导致二极管的功耗和发热增加，会对设备的散热要求和小型化造成影响。因此渴求有可减少功耗和发热的极性反接保护和反向电流防止用元件。
本产品与以往的二极管相比，可降低导通功耗55%、降低温升37%、减小贴装面积75%。因此可为车载产品等需要极性反接和反向电流保护的设备及输出ORing用途的小型化和功耗降低做贡献。

■ 特長

    • 大幅降低损耗和温升　【图1】
      使用Pch MOSFET，与过去的二极管相比降低了导通损耗55%、温升37%。
    • 有助于设备的小型化的小型封装　【图2】
      采用可浸润侧面电极的无引脚封装WSON8，与以往的二极管相比减小贴装面积75%
    • 降低导通时的压降
      通过使用Pch MOSFET，与以往的二极管相比，导通时的压降降低38％.（Ron=53mΩ typ.）
    • 在低输入电压情况下也可正常工作
      针对发动机启动等情况有实施对策，在输入电压降低时Pch MOSFET也可ON。
    • 空载时IC的消耗电流为3μA
      通过降低元器件的暗电流，减少车辆停车时的电池放电。
    • 搭载有源钳位功能
      保护Pch MOSFET免受输入端急剧波动引起的负浪涌电压的影响。
    • 其他特点
      符合车载可靠性标准AEC-Q100
      42V耐压对应抛负载试验
      快速瞬态响应
      ※１：与本公司过去产品相比

图1　大幅降低损耗和温升

图2  有助于设备的小型化的小型封装

■ 用途示例

  • 各种车载ECU
    仪表、抬头显示器、导航系统、音响、USB模块等
  • 需要O Ring的设备输入与输出部分

■电路示例

■产品规格

  spec.

耐压

 42V
工作电压 2.5～40V
平均电流 5A
暗电流 ≦3μA
内置 Pch MOSFET Ron 53mΩ（typ.）
反接保护 内置
防止反向电流 内置
IFSM 70 A
Toff 500ns (typ.)
 Tj 150 ゜C

■ 外形尺寸图及等效电路图

  • Unit：mm

Pin No.
 Symbol Function
1～4 VIN 供电端子
5 GND GND 端子
6～8 OUT 出力端子


■ 发售时间

2023年5月

■生产工厂

株式会社東根新電元以及其他


■ 问讯窗口

登载内容于2023年6月1日进行了部分修正。

新产品信息记载的内容截止于本报导日。在您浏览时，存在信息变更的可能性（如生产，销售终止。价格，技术规格变更等）。敬请谅解。

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