新产品信息
用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售
～理想二极管为车载设备的小型化和低功耗化做贡献～
Mar. 6, 2024
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相比，可实现小型化和高速响应。
■ 概要
以近年来的汽车为例，随着电子设备的功能强化、功能集成和多功能化，功耗也不断增加。
以往ECU输入部分的极性反接保护和反向电流防止用元件使用二极管，但电流增加导致二极管的功耗和发热增加，会对设备的散热要求和小型化造成影响。因此，通过IC与MOSFET的组合实现整流功能，并且可以降低功耗、抑制发热和实现小型化的“理想二极管”的需求正在不断增加。
为了满足这样的需求，本公司推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，与传统二极管相比可降低约72％的功耗和约51％的温升※1。
由此为车载产品等需要反向连接和反向电流保护的设备和输出并联使用用途的小型化和降低功耗做贡献。
另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用※2。与传统的机械式继电器相比，可将响应时间缩短至约1/1000，并可减少约96％的贴装面积，有助于实现小型化和高速响应。
※1 与本公司Nch-MOSFET“P24LF4QNK”组合时
※2 作为半导体继电器使用时，请将本产品的REV端子（7号端子）连接至GND
■ 特長
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降低功耗 |
抑制温升 |
| 作为理想二极管使用时※1，与传统二极管※3相比，可降低约72％的功耗。 ※1 与本公司Nch-MOSFET“P24LF4QNK”组合时 ※3 使用本公司SBD“D30FDC4S”时 |
作为理想二极管使用时※1，与传统二极管※3相比，可抑制约51％的温升。 ※1 与本公司Nch-MOSFET“P24LF4QNK”组合时 ※3 使用本公司SBD“D30FDC4S”时 |
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高速响应 |
| 作为半导体继电器使用时※2，对ON/OFF信号的动作响应速度快，与机械式继电器相比，可实现ON时响应时间缩短至约1/20，OFF时响应时间缩短至1/1000左右。 ※2 作为半导体继电器使用时，请将本产品的REV端子（7号端子）连接至GND |
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可靠的ON/OFF |
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机械式继电器在ON/OFF时会发生细微振动，而半导体继电器不会发生※4。 |
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贴装面积减少 |
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作为半导体继电器使用时※2，与机械式继电器相比，可减少约96％的贴装面积。 |
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其他特点 |
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・将外接Nch-MOSFET的VDS电压差转换为电流输出 |
■ 用途示例
・ADAS
・各种车载ECU
・CNC
・定序器
・需要ORing的设备输入与输出部分
■ 方框图
■外形寸法図
■ 产品规格
| MF2007SW | |
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动作电压 |
4.5～65V |
| 动作时消耗电流 | 200 μA |
| 待机电流 | ≦5μA(有外部信号) |
| 升压电路输出电流 | 75μA (Typ.) |
| 升压电压 | 12.5V(Typ.) |
| 反向电流 OFF时间 | 200ns/0.7A (Typ.) |
| EN_OFF时间 | 50ns/0.12A(Typ.) |
| 当电源接反时 | 电流降低+外部Gate放电 |
| 电荷泵 | 内置电容器 |
■ 生产工厂
株式会社東根新電元以及其他
■ 问讯窗口
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