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新一代SiC-SBD样品开始供货
为高电压设备的高效化与小型化做贡献

Jan. 14, 2025

新电元工业面向高电压设备开始SiC肖特基势垒二极管“WS系列”的样品供货。

从节能的角度来看,工业与消费类设备中使用的电源要求更高效率、更低功耗的元器件。因此,业界正在推进从传统的快恢复二极管(以下简称FRD)向可实现高速切换工作的SiC肖特基势垒二极管(以下简称SiC-SBD)更替的进程。此外,在通过高频化来实现小型化、轻量化的过程中,如何应对开关干扰已成为一个亟待解决的课题。
为满足这样的市场需求,新电元工业面向工业与消费类设备开始SiC-SBD“WS系列”的样品供货。
本产品与传统的FRD相比,VF降低了约50%,恢复特性降低了约85%。由此使开关功耗得以显著降低,进而实现了设备的效率提高。此外,IRP改善约70%,使开关干扰也得到了大幅降低,有助于外围电路实现小型化。
同时,本产品预定遵照AEC-Q101(车用分立半导体器件可靠性测试标准)标准,可应用于车载产品。

※ 与FRD“S20LC60UST”的比较


■ 特長

1. 显著降低开关功耗【1/图2
与传统的FRD相比,VF降低约50%,恢复特性降低约85%,由此使开关功耗得以显著降低。
2. 显著降低关干扰也【图2
与传统的FRD相比,IRP改善约70%,使开关干扰得以大幅降低。
3. 预定遵照AEC-Q101

※ 与FRD“S20LC60UST”的比较

1 显著降低开关功耗

 图2 显著降低关干扰也


■ 用途例

伺服器電源
發電機電源
民用家電
車載充電器
車載用DCDC轉換器
PFC電路 等

■ 产品规格

Products Tj[℃] IF(AV)[A] VRRM[V] IFSM[A] VF(typ)[V] IR(max) [μA] trr (typ)[ns] / Qrr (typ)[pF]
WS10FB65AK -55 to 175 10 650 50 1.49
(IF=10A)
50
(VR=650V)
6/5
WS20FBC65AK -55 to 175 20 650 50 1.49
(IF=10A per diode)
50
(VR=650V per diode)
6/5
(per diode)
WS20FB65AK -55 to 175 20 650 90 1.47
(IF=20A)
400
(VR=650V)
8/10
WS20GC65AK -55 to 175 20 650 90 1.47
(IF=20A)
400
(VR=650V)
8/10
WS20GCC65AK -55 to 175 20 650 50 1.49
(IF=10A per diode)
50
(VR=650V per diode)
6/5
(per diode)
WS40GCC65AK -55 to 175 40 650 90 1.47
(IF=20A per diode)
400
(VR=650V per diode)
8/10
(per diode)
WS10GC120AK -55 to 175 10 1200 90 1.48
(IF=10A)
200
(VR=1200V)
8/10
WS20GCC120AK -55 to 175 20 1200 90 1.48
(IF=10A per diode)
200
(VR=1200V per diode)
8/10
(per diode)

■ 外形尺寸图

■ 樣品發貨時間

2025年3月

■ 預定發售時間

2026年8月


■ 问讯窗口

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