新产品信息
新一代SiC-SBD样品开始供货
为高电压设备的高效化与小型化做贡献
Jan. 14, 2025
新电元工业面向高电压设备开始SiC肖特基势垒二极管“WS系列”的样品供货。
从节能的角度来看，工业与消费类设备中使用的电源要求更高效率、更低功耗的元器件。因此，业界正在推进从传统的快恢复二极管（以下简称FRD）向可实现高速切换工作的SiC肖特基势垒二极管（以下简称SiC-SBD）更替的进程。此外，在通过高频化来实现小型化、轻量化的过程中，如何应对开关干扰已成为一个亟待解决的课题。
为满足这样的市场需求，新电元工业面向工业与消费类设备开始SiC-SBD“WS系列”的样品供货。
本产品与传统的FRD相比，VF降低了约50%，恢复特性降低了约85%。由此使开关功耗得以显著降低，进而实现了设备的效率提高。此外，IRP改善约70%，使开关干扰也得到了大幅降低，有助于外围电路实现小型化。
同时，本产品预定遵照AEC-Q101（车用分立半导体器件可靠性测试标准）标准，可应用于车载产品。
※ 与FRD“S20LC60UST”的比较
■ 特長
1. 显著降低开关功耗【图1/图2】
与传统的FRD相比，VF降低约50%，恢复特性降低约85%，由此使开关功耗得以显著降低。
2. 显著降低关干扰也【图2】
与传统的FRD相比，IRP改善约70%，使开关干扰得以大幅降低。
3. 预定遵照AEC-Q101
※ 与FRD“S20LC60UST”的比较
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图1 显著降低开关功耗 |
图2 显著降低关干扰也 |
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■ 用途例
伺服器電源
發電機電源
民用家電
車載充電器
車載用DCDC轉換器
PFC電路 等
■ 产品规格
| Products | Tj［℃］ | IF(AV)［A］ | VRRM［V］ | IFSM［A］ | VF(typ)［V］ | IR(max) ［μA］ | trr (typ)［ns］ / Qrr (typ)［pF］ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WS10FB65AK | -55 to 175 | 10 | 650 | 50 | 1.49 (IF=10A) |
50 (VR＝650V) |
6/5 |
| WS20FBC65AK | -55 to 175 | 20 | 650 | 50 | 1.49 (IF=10A per diode) |
50 (VR＝650V per diode) |
6/5 (per diode) |
| WS20FB65AK | -55 to 175 | 20 | 650 | 90 | 1.47 (IF=20A) |
400 (VR＝650V) |
8/10 |
| WS20GC65AK | -55 to 175 | 20 | 650 | 90 | 1.47 (IF=20A) |
400 (VR＝650V) |
8/10 |
| WS20GCC65AK | -55 to 175 | 20 | 650 | 50 | 1.49 (IF=10A per diode) |
50 (VR＝650V per diode) |
6/5 (per diode) |
| WS40GCC65AK | -55 to 175 | 40 | 650 | 90 | 1.47 (IF=20A per diode) |
400 (VR＝650V per diode) |
8/10 (per diode) |
| WS10GC120AK | -55 to 175 | 10 | 1200 | 90 | 1.48 (IF=10A) |
200 (VR＝1200V) |
8/10 |
| WS20GCC120AK | -55 to 175 | 20 | 1200 | 90 | 1.48 (IF=10A per diode) |
200 (VR＝1200V per diode) |
8/10 (per diode) |
■ 外形尺寸图
■ 樣品發貨時間
2025年3月
■ 預定發售時間
2026年8月
■ 问讯窗口
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