新产品信息
搭载正向控制功能的High-side Nch-MOSFET栅极驱动IC发售
～理想二极管为车载设备的小型化和低功耗化做贡献～
Mar. 11, 2025
新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2008SW”。
以近年来的汽车为例，随着电子设备的功能强化、功能集成和多功能化，功耗也不断增加。传统ECU输入端的逆接保护和防止逆电流用元器件使用二极管，但是存在电流增加导致功率损耗和发热增加的课题。因此作为替代器件，对“理想二极管”的需求越来越高。这些器件需在装置处于省电状态或轻负载状态下也能稳定防止逆电流，因此对可靠性的要求更高。
为了满足这样的需求，本公司推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2008SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用。 通过在前代产品※1中引入正向控制，可在逆电流流过之前将Gate关断，在轻负载状态下也能防止逆电流。另外，与传统二极管相比※2，可降低约72％的功耗和约51％的温升※3，因此有助于车载产品等需要逆接和逆电流保护的设备实现小型化和低功耗化。另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用。与传统的机械式继电器相比，可将响应时间缩短至约1/1000，并可减少约96％的贴装面积，有助于实现小型化和高速响应。
※1 High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”
※2 使用本公司SBD“D30FDC4S”时
※3 与本公司Nch-MOSFET“P24LF4QNK”组合时
■ 特長
【作为理想二极管使用时】
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正向控制功能 |
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【VIN】-【OUT】<30mV时停止升压，【VIN】-【OUT】>45mV时重启升压，以此来控制外置NchMOSFET的VDS电压。 |
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降低功耗 |
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作为理想二极管使用时※3，与传统二极管※2相比，可降低约72％的功耗。 ※2 使用本公司SBD“D30FDC4S”时 ※3 与本公司Nch-MOSFET“P24LF4QNK”组合时 |
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抑制温升 |
| 作为理想二极管使用时※3，与传统二极管※2相比，可抑制约51％的温升。 ※2 使用本公司SBD“D30FDC4S”时 ※3 与本公司Nch-MOSFET“P24LF4QNK”组合时 |
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【作为双向导通的半导体继电器使用时】
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高速响应 |
| 作为半导体继电器使用时，对ON/OFF信号的动作响应速度快，与机械式继电器相比，可实现ON时响应时间缩短至约1/20，OFF时响应时间缩短至1/1000左右。 |
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可靠的ON/OFF |
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机械式继电器在ON/OFF时会发生细微振动，而半导体继电器不会发生※4。 |
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贴装面积减少 |
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作为半导体继电器使用时，与机械式继电器相比，可减少约96％的贴装面积。 |
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其他特点 |
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・将外接Nch-MOSFET的VDS电压差转换为电流输出 |
■ 用途示例
・ADAS
・各种车载ECU
・CNC
・定序器
・需要ORing的设备输入与输出部分
■方框图
■外形寸法図
■ 产品规格
| MF2008SW | |
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动作电压 |
4.5～65V |
| 动作时消耗电流 | 200 μA |
| 待机电流 | ≦5μA(有外部信号) |
| 升压电路输出电流 | 75μA (Typ.) |
| 升压电压 | 12.5V(Typ.) |
| 反向电流 OFF时间 | 200ns/0.7A (Typ.) |
| EN_OFF时间 | 50ns/0.12A(Typ.) |
| 当电源接反时 | 电流降低+外部Gate放电 |
| 电荷泵 | 内置电容器 |
| 正向控制 | 30～45mV |
■ 生产工厂
株式会社東根新電元以及其他
■ 问讯窗口
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