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SiC-MOSFET开始样品出货
~ 为高电压设备的高效化与小型化做贡献 ~

Nov. 19, 2025

新电元工业继已样品出货的SiC-SBD之后,可对应车载用途的SiC-MOSFET也将开始样品出货。在车载设备、工业设备及民用设备的电源用途中,从节能角度出发,寻求更高效率、更低损耗的器件。
为此,传统的硅材料MOSFET正在被逐步替换为支持高速动作的SiC-MOSFET。
另一方面,SiC-MOSFET仍存在栅极保证电压范围窄、以及高温下导通电阻(Ron)上升导致导通损耗增加等课题。

为了应对这些需求与课题,新电元工业开发了可用于车载用途的650V、750V、1,200V耐压SiC-MOSFET。
我们提供TO-247-3L、TO-247-4L、TO-263-7p封装品。特别是TO-247-4L和TO-263-7p,采用开尔文源极端子结构,可最大限度发挥SiC-MOSFET的性能。
主要特点如下:
 1. 栅极保证电压范围大,提高电路设计的便利性
 2. 通过抑制高温下Ron上升,降低导通损耗
因此有助于减轻客户的设计负担。
此外,本产品将会遵照AEC-Q101标准,因此也可用于车载产品。
今后还将扩充支持大电流的功率MOSFET产品阵容,以满足市场的多样化需求。


■ 特長

宽栅极电压范围
更宽的最大额定值使电路设计更容易。
新电元SiC-MOSFET具有宽栅极驱动电压范围 

即使在高温下也能实现低损耗
在实际工作温度范围内实现平坦的导通电阻。
高温下的 SiC-MOSFET 导通电阻特性 


■ 产品规格

表面贴装封装 GF

Products 绝对最大额定值(Tc=25°C) 电气特性(Tc=25°C) Package Automotive
TCH
[°C]
VDSS
[V]
ID
[A]
VTH typ.
[V]
RDS(ON) typ.
[mΩ]
WP60GFS75AAK -55~175 750 60 3.0 28 GF
WP38GFS75AAK -55~175 750 38 3.0 50 GF
WP33GFS75AAK -55~175 750 33 3.0 63 GF
WP21GFS75AAK -55~175 750 21 3.0 133 GF
WP55GFS120AAK -55~175 1200 55 3.0 36 GF
WP35GFS120AAK -55~175 1200 35 3.0 65 GF
WP30GFS120AAK -55~175 1200 30 3.0 80 GF
WP19GFS120AAK -55~175 1200 19 3.0 171 GF

插入式封装 GC/GE

Products 绝对最大额定值(Tc=25°C) 电气特性(Tc=25°C) Package Automotive
TCH
[°C]
VDSS
[V]
ID
[A]
VTH typ.
[V]
RDS(ON) typ.
[mΩ]
WP80GC65A -55~175 650 80 3.0 18 GC
WP60GC65A -55~175 650 60 3.0 28 GC
WP38GC65A -55~175 650 38 3.0 50 GC
WP33GC65A -55~175 650 33 3.0 63 GC
WP80GES75AK -55~175 750 80 3.0 18 GE
WP60GES75AK -55~175 750 60 3.0 28 GE
WP38GES75AK -55~175 750 38 3.0 50 GE
WP33GES75AK -55~175 750 33 3.0 63 GE
WP65GES120AK -55~175 1200 65 3.0 24 GE
WP55GES120AK -55~175 1200 55 3.0 36 GE
WP35GES120AK -55~175 1200 35 3.0 65 GE
WP30GES120AK -55~175 1200 30 3.0 80 GE

■ 用途示例
 ・服务器电源
 ・工业电源
 ・消费类电器
 ・车载充电器
 ・汽车 DC/DC 转换器
 ・PFC 电路

…等

■ 样品供应
 2025年11月

■ 发售时间
 2026年8月


■ 问讯窗口

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