二极管的分类
二极管可根据其材料与特性进行分类，也可根据形状与内部接线等进行分类。
根据材料与特性，可以有以下分类。
根据用途、功能等的不同，二极管有各种形状，但大致可分为引线式和表面贴装式。
另外还可根据内部接线的特点进行分类，典型的有桥式二极管。
单体器件
晶体管、二极管、晶闸管等单功能元件的总称。
功率模块
将晶体管、二极管、晶闸管等多个功率半导体组成而成的电路集成器件。
新电元还拥有搭载4至6个二极管的功率模块产品。
普通整流二极管
使用硅pn结的二极管，为工频交流（50/60Hz）的整流而制造。
原本硅二极管均为此类型，但随着用途的扩大，市场对高速化和低损耗化的要求越来越高，因此衍生出了快恢复二极管和肖特基势垒二极管等。
p型半导体
简而言之，是指具有正(Positive)电性质的半导体。
n型半导体
简而言之，是指具有负(Negative)电性质的半导体。
pn结
是指p型半导体区与n型半导体区相接的部分。
pn结不是p型半导体与n型半导体的“粘接”，而是通过在1片硅晶片上制造p区和n区而形成。
快恢复二极管
pn结二极管（普通整流二极管）的高速化二极管。
当二极管从正向偏置变为反向偏置时，在一定时间会有反向电流通过。
该电流叫做恢复电流，该时间叫做反向恢复时间。
正向偏压
是指对二极管的阳极侧施加正电压，对阴极侧施加负电压。
二极管有电流通过。
反向偏压
是指对二极管的阴极侧施加正电压，对阳极侧施加负电压。
二极管无电流通过。
恢复电流
是指在反向恢复时间内，二极管有反向电流通过。
反向恢复时间
是指反向电压发生变化后，到电流不再通过为止的时间。
标记为“trr”。
普通整流二极管的反向恢复时间为几微秒～几十微秒。
按照人的感觉，这一时间非常之短，但对有些使用电路来说，这一时间不容忽视。
举例来说，如果用于50Hz或60Hz工频交流的整流，几乎没有影响，但如果用于100kHz开关电源的整流，则这一时间太长，反向恢复损耗会增大，因此无法使用。
快恢复二极管实现了高速化，将反向恢复时间缩短到几十纳秒至几百纳秒。
反向恢复损耗
是指恢复电流通过而产生的损耗。反向恢复时间越短，则越能抑制损耗。
肖特基二极管
不使用pn结，而使用金属与n型半导体的肖特基结的二极管。
二极管通过电流，会因为电压降（叫做正向电压）而产生功率损耗和发热。
该功率损耗叫做正向损耗。
正向电压越小，正向损耗的抑制效果越好。
肖特基势垒二极管的正向电压比pn结二极管小，因此可大幅降低正向损耗。
此外，它没有反向恢复时间，速度极快，因此特性优异，但存在难耐高压的缺点，被用作最大耐压200V左右的高性能二极管。
肖特基结
利用金属与n型半导体界面产生肖特基势垒的二极管。
发现人是德国物理学家沃尔特·肖特基，并以此命名。
相对于pn结，也叫MS结。
（metal-semiconductor junction）
正向电压
是指电流从阳极流向阴极时产生的电压降。
标记为“VF”。
正向损耗
是指正向通过的电流IF与正向电压VF产生的功率损耗。
正向损耗=VF×IF [W]
齐纳二极管
利用二极管反向无电流通过的特性，用于构建稳压电路和吸收浪涌电压。为了与浪涌电压吸收用二极管加以区別，又叫TVS（Transient Voltage Suppressor)。
齐纳二极管充分利用了相当于普通二极管的击穿特性。
与普通二极管相反，它的电流从阴极流向阳极，通过获得稳压或吸收能量来保护电路。
新电元的齐纳二极管是硅制TVS，可保护电路免受负载突降浪涌等过电压的影响，其特点是能量耐受能力大于普通的齐纳二极管，且响应速度比压敏电阻还要快。通常齐纳二极管会随时通过微小电流以利用稳压特性，而TVS的区别在于通常无电流通过，只在紧急情况下工作。
击穿
是指加大向二极管反向偏置施加的电压时，一旦超过某一电压，电流就会急剧通过的现象。
此时的电压叫做击穿电压。
负载突降
是指汽车上由于电池断路而产生的浪涌(瞬态高压)。
这种浪涌拥有巨大的能量，会破坏电子设备和器件。
桥式整流二极管・功率模块
不是根据二极管的特性，而是根据内部接线的特点进行分类，典型的有桥式二极管。
一般多用于工频电源的全波整流，内置二极管多为普通整流二极管，但也有内置肖特基势垒二极管，用于开关电源的二次侧整流等用途。此外，也有内置6个二极管、用于三相交流整流的产品。
新电元除了有桥式二极管之外，还有二极管模块（功率模块），可用于广泛的用途。
全波整流
是指对交流电流的正负波都进行整流，使电流的流向相同。
只对正波部分进行整流，叫做半波整流。
三相交流
是指高效输送大容量电能的送电方式。能以小电流获得大功率，该方式用于向工业用电气设备等需要大功率的设备输送电能。
与此相对，用于家庭的叫做“单相”。
