什么是二极管

在硅中形成pn结和设置电极，这就是二极管。使用pn结的二极管，叫做普通整流二极管。改善普通整流二极管的开关特性后叫做快恢复二极管（FRD），它不同于普通整流二极管。
在二极管中使用金属层来代替p型半导体，叫做肖特基势垒二极管（SBD）。

朝A→K的方向（正向）外加电压，则电流通过。
此时A-K间产生正向电压V_F。V_F导致产生功率损失，因此V_F以小为好。

朝K→A的方向（反向）外加电压，则电流不通过。
但是，实际会通过极小的反向电流I_R。I_R导致产生功率损失，因此I_R以小为好。

平面型和台面型

实际做出来的芯片p层薄，n层厚。

n－层：
杂质浓度低，因此在外加反向电压时，耗尽层容易扩散。
根据这里的浓度和厚度，产生必要的耐压。
n＋层：
杂质浓度高，电流容易通过。
为了确保晶圆强度，需要有一定的厚度。

芯片的端面露出，因此电流容易沿端面在p→n＋之间通过，导致耐压下降，实际的芯片设置保护膜以确保耐压。划片后在侧面贴保护膜是不现实的，因此需要设法在划片前贴保护膜。

平面型无需开槽，但芯片会变大，且扩散工艺复杂。

台面型需要有开槽工序，但芯片小，且扩散工艺简单。

通过正向电流I_F时产生的电压降，叫做正向电压V_F，以小为好。
另外，在外加反向电压V_R时，会有极小的电流通过，叫做反向电流I_R，它也是以小为好。

如下图所示，如果从电流通过二极管的状态突然变为反向偏压的状态，那么会瞬间通过很大的反向电流。该电流叫做恢复电流，恢复电流通过的时间，叫做反向恢复时间trr。

恢复电流会导致干扰和功率损失，因此trr以小为好。

pn结型	普通整流二极管快恢复二极管（FRD）
肖特基连接型	肖特基势垒二极管（SBD）

最早的二极管都是pn结二极管。
但是，pn结二极管有一些缺点，为了弥补缺点而产生了快恢复二极管（FRD）和肖特基势垒二极管（SBD），但是最早的pn结二极管没有特别的名称，所以叫做普通整流二极管。