D→S之间为N→P→N，N→P的接合为反向，因此电流无法流动。
P型半导体中分布有一种叫做“空穴”的＋电荷。

在G-S之间施加电压后，栅极正下方的P层反转为N，形成N型半导体层。
这样，N→P→N的路径将变化为N→N→N，因此电流ID可以流动。
这表示MOSFET“已变为ON状态”。

该N型层的部分叫做通道，由于通道为N型，因此也叫做N通道MOSFET。
通道部分的电阻叫做通道电阻。

在G-S之间施加1V的电压时，通道仍处于Ｐ的状态，因此电流不会流动。

在G-S之间施加2Ｖ左右的电压，则通道终于反转为Ｎ，电流开始流动。⇒此为阈值（VTH）

要使ON电阻完全下降，必须施加远大于VTH的电压。
VGS=4.5V时为85mΩ、VGS=10V时为79mΩ

如图所示，S⇒D之间原本为PN接合即二极管，因此
随时可以流过电流。
这种二极管叫做体（寄生）二极管，MOSFET符号的书写
也可如图所示。

S→D之间为P→N→P，N→P的接合为反向，因此电流无法流动。
N型半导体中分布有一种叫做“自由电子”的－电荷。

在G-S之间施加电压，则栅极正下方的N层反转为P，形成P型半导体层（通道）。
这样，P→N→P的路径变化为P→P→P，因此电流ID可以流动。
这表示MOSFET“已变为ON状态”。
由于通道为P型，因此也叫做P通道MOSFET。

由于P型半导体中的电流在“空穴”的作用下运动，因此与“电子”流动的N型半导体相比，电流更不容易流动。也就是说，在相同芯片尺寸的情况下，ON电阻比N型更大。

1. 要置于ON，应在G-S之间施加负电压。
2. 与N通道型相比，ON电阻更大。
3. 体二极管的方向为D→S。

根据这种特性，从使用方便性来考虑，市场上所采用的
MOSFET几乎都是N通道型，各半导体生产厂家的产品
也压倒性地以N通道型居多。