硅极限
即使漂移层以外的电阻无限接近于0，由于残留在漂移层的电阻值的影响，也会存在“ON电阻无法进一步下降”的临界值，这就是所谓的“硅极限（理论临界）”。
据说ON电阻与耐压的2.5次方成比例。
耐压2倍 ⇒ ON电阻5.6倍
耐压10倍 ⇒ ON电阻316倍
低耐压MOSFET似乎还未达到理论临界，而高耐压MOSFET从很早就基本上达到了临界，正在寻求新的突破。
⇒超结结构就是一种使用Si且超过该理论临界的新技术。
超结结构的Ron降低效果
＊SJ-MOS超过了硅极限。
传统结构的MOSFET
耗尽层根据所施加的电压扩散，这产生了耐压。
耗尽层的扩散范围＝耗尽层的厚度 因此，高耐压MOSFET无法提高漂移层的杂质浓度。所以，耐压越高，漂移层的电阻越大，ON电阻也变得越大。
スーパージャンクション構造のMOSFET
在漂移层中，N层和P层的排列呈纵向槽结构，施加电压之后，耗尽层呈横向扩散，最终一体化形成“相当于槽深度”的耗尽层。
只要耗尽层扩散到槽间隔的一半，即可获得厚度相当于槽深度的耗尽层。耗尽层的扩散可以很小，漂移层的杂质浓度可以提高到5倍左右，因此可以将ON电阻控制在很小。
根据这个原理可知，如果将槽、槽间隔做得尽可能细、尽可能深，则效果会更好。由于采用了与传统MOSFET不同的机制来形成耐压，因此可以实现超出所谓硅极限的性能。
制造方式上的差异
传统结构的MOSFET
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- ①在N-晶圆上涂布氧化膜。
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- ②在表面涂布硼等杂质。
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③通过热处理扩散。逐渐扩散。
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- ④涂布抗蚀剂。
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- ⑤在表面涂布磷等杂质。
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- ⑥通过热处理扩散。
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- ⑦除去抗蚀剂。
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一般采用这种制造方式，因此很难使P层只在纵向上深度扩散。
超结结构的MOSFET
近年来开发出了一种方法：在N-层挖一个深槽，使P层的结晶在槽中磊晶成长，从而形成很深的超结结构。
TRENCH回填磊晶制法
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- ①在N-基板上涂布氧化膜。
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- ②通过干法刻蚀在N-层挖一个深槽。
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- ③再次在挖出的槽中使P-层进行磊晶成长。
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- ④将溢出的部分削平。
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