MOSFET的di/dt表示：
- 流向MOSFET的体二极管的
- 恢复电流的
- 电流变化率。
如果流向体二极管的恢复电流的变化率即di/dt过大，则MOSFET可能损坏。
di/dt耐量表示能够耐受多大的di/dt。
即使在MOSFET处于OFF状态时，该二极管也可以流过电流。
由于二极管为PN二极管，因此反向恢复时间较长，会发生较大的恢复电流。
如果di/dt和IRP过大，则MOSFET可能损坏。将IRP设为额定电流时可以保证的di/dt值有可能记载于MOSFET的商品目录中。
由于逆变器中这种二极管的特性频频出现问题，因此近年来将体二极管高速化后的产品也不断实现商品化。
