HEMT简介

GaN（氮化镓）是一种性能指数超过SiC但是比SiC更难结晶化和加工的材料。
通常采用一种名叫HEMT的技术：使用在硅的表面使GaN结晶成长的基板，仅在表面形成元件。

HEMT…High Electron Mobility Transistor

与电流在晶圆垂直方向上流动的方式相比，能够以更短距离构成D-S，即使不在G-S之间施加电压也处于接通的状态。
⇒ 通常ON