GaN-HEMT简介

HEMT简介

GaN(氮化镓)是一种性能指数超过SiC但是比SiC更难结晶化和加工的材料。
通常采用一种名叫HEMT的技术:使用在硅的表面使GaN结晶成长的基板,仅在表面形成元件。

HEMT…High Electron Mobility Transistor

与电流在晶圆垂直方向上流动的方式相比,能够以更短距离构成D-S,即使不在G-S之间施加电压也处于接通的状态。
通常ON

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