GaN-HEMT的特征

一般GaN-HEMT为通常ON（通常待机时ON），因此要将其置于OFF必须采取与普通MOSFET不同的控制方式。
要将通常ON的GaN-HEMT置于OFF状态，必须将2DEG（二维电子气）层耗尽，因此应在G-S之间施加负电压。（如图）

由于通常OFF的方式易于在电路中使用，因此如何变更为通常OFF是GaN-HEMT的一大课题。

与负极链接实现常关

1. 与低压(LV)MOSFET共源共栅（串联）连接的方法

GaN-HEMT的常关态与低导通阻抗的矛盾关系通过连接负极来实现。
负极连接请参考「如图・・・・」
如图所示，可以与低耐压MOSFET(LV-MOSFET)串联连接使用。一般情况下，采用将两个芯片装入一个封装来构成。

GaN-HEMT的特征

Item	Symbol	Units	GaN-HEMT (E mode)	GaN-HEMT (Cascode)*2	SiC-MOSFET	Si-MOSFET
			Company A	Company B	Company C	Company D
Drain-Source voltage	VDSS	V	650	650	650	650
ON resistance	RDS(ON)	mΩ	50	50	60	40
Gate threshold voltage	Vth	V	1.7	4	2.3	3.5
Input capacitance	Ciss	pF	242	1,000	1,020	4,340
Total gate charge	Qg	nC	6.1	16	46	93
Reverse recovery charge	Qrr	nC	0	125	110	13,000
RDS(on) × Ciss (FOM) *1	-	Ω・pF	12.1	50	61.2	173.6

*1: GaN-HEMT不仅具有优秀的性能指数（FOM),还具有非常小的Qg。
      这在高速开关电源回路里非常重要，在高频电路里的应用被寄予很高的期待。
      从材料性能指数上讲，还有进化的余地。

*2: GaN-HEMT的负极连接VGS值高，比较容易控制。另一方面，电容成分（Ciss, Qg, Qrr）
　　比较大，与单体的GaN-HEMT(E-mode）相比，高速开关性能有一定的降低。