MOSFET使用SiC的情况
纵向型MOSFET*的基板材料使用SiC的情况。
Si-MOSFET
Wide Band Gap(SiC-MOSFET)
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＊纵向型MOSFET
如图所示，芯片的表面/背面设有电极，电流在芯片的垂直方向流过的MOSFET。电源MOSFET及IGBT通常为这种结构。
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基于材料、结构的MOSFET特性比较
| 项目 | 符号 | 单位 | MOSFET |
SJ-MOSFET |
SiC-MOSFET |
|---|---|---|---|---|---|
|
F15F60HP2 |
A公司 |
B公司 |
|||
|
漏极・源极间电压 |
VDSS |
V |
600 |
650 |
650 |
|
漏极电流（直流） |
ID |
A |
15 |
8 |
21 |
|
漏极电流（Peak） |
IDP |
A |
60 |
49 |
52 |
|
总损耗 |
PT |
W |
95 |
30 |
103* |
|
ON电阻 |
R(DS)ON |
Ω |
0.49(max.) |
0.19(max.) |
0.156(max.) |
|
输入容量 |
Ciss |
pF |
1750 |
1150 |
460 |
|
单发雪崩能量 |
EAS |
mJ |
80 |
57 |
- |
|
漏极・源极二极管耐量 |
di/dt |
A/μs |
350 |
55 |
- |
|
Ron×Ciss（性能指数） |
- | Ω・pF |
857.5 |
218.5 |
71.76 |
*B公司产品由于包装较大，总损耗（允许损失）大。
