半导体材料的物理特性比较

	单位	Si	4H-SiC	GaN	Ga2O3	Diamond
带隙	eV	1.12	3.26	3.39	4.8	5.47
电子移动度	㎠/Vs	1400	1000	900	300	2200
绝缘破坏电场强度	MV/㎝	0.3	2.5	3.3	8	10
热传导度	W/㎝K	1.5	4.9	2	4.8	20
BM*	-	1	340	650	3400	27000
技术水平	-	量产	部分量产	部分量产	研究阶段	研究阶段

*Baliga性能指数…该值越大，漂移层的电阻越能够减小。

使用大Band Gap的材料可以获得很高的绝缘破坏电场强度。也就是说，可以以薄的耗尽层产生大的耐压，因此通过将漂移层做薄与提高杂质浓度这二者的协同效应，可以使耐压和漂移电阻的权衡得到飞跃性提升。这意味着，性能指数为340的SiC作为材料，可以使漂移电阻仅为340分之1。

半导体材料的理论临界比较

功率器件适用领域